| 型号： | SPD02N80C3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPD02N80C3 PDF |  |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.7 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 120µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | SPD02N80C3INCT |